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1废硅片接纳滚磨
切片前先将硅单晶棒研磨成具有准确直径的单晶棒,再沿单晶棒的晶轴偏向研磨出主、次参考面,用氢氟酸、硝酸和冰醋酸的混淆液侵蚀研磨面 ，称为减径侵蚀 。
2废硅片接纳切割
也称切片 ，把硅单晶棒切成所需形状的硅片（如圆片）的工艺 。切割分多线切割、外圆切割、超声切割、电子束切割和普遍接纳的内圆切割等 。
3废硅片接纳研磨
也称磨片 ，在研磨机上 ，用白刚玉或金刚砂等配制的研磨液将硅片研磨成具有一定厚度和光洁度的工艺 。有单面研磨和双面研磨两种方法 。
4废硅片接纳倒角
为解决硅片边沿碎裂所引起的外貌质量下降 ，以及光刻涂胶和外延的边沿凸起等问题的边沿弧形工艺 。倒角要领有磨削、喷砂、化学侵蚀和适当的抛光等 ，较普遍接纳的是用倒角机以成型的砂轮磨削硅片边沿 ，直到硅片边沿形状与轮的形状一致为止 。
5废硅片接纳化学侵蚀
也称减薄侵蚀 ，目的是除去切磨后硅片外貌的损伤层和沾污层 ，改善外貌质量和提高外貌平整度 �；质捶ㄓ欣菏健⑼笆健⑿耸胶秃惺� ，接纳氢氟酸、硝酸和冰醋酸的混淆液从硅片两侧侵蚀掉一定的厚度 。
6废硅片接纳抛光
为了制备合乎器件和集成电路制作要求的硅片外貌 ，必需举行抛光 ，以除去残留的损伤层并获得一定厚度的高平整度的镜面硅片 。抛光分机械抛光、化学抛光、电子束抛光、离子束抛光 ，较普遍接纳的是化学机械抛光 �；Щ蹬坠馐腔质春突的ハ魍本傩� ，分为铜离子抛光、铬离子抛光和普遍接纳的二氧化硅胶体抛光 。二氧化硅胶体抛光是由极细的二氧化硅粉、氢氧化钠（或有机碱）和水配制成胶体抛光液 。在抛光历程中 ，氢氧化钠与硅外貌反应天生硅酸钠 ，通过与二氧化硅胶体的磨削 ，硅酸钠进入抛光液 ，两个历程一直留地同时举行而抵达抛光的目的 。凭证差别要求 ，可用一次抛光、二次抛光(粗抛光和精抛光)或三次抛光（粗抛光、中心抛光和精抛光） 。为知足超大规模集成电路对外貌质量清静整度的要求 ，已有无蜡抛光和无磨料抛光等新工艺 。
7废硅片接纳抛光片检测
包括目检、几何尺寸检测和热氧化层错检测等 。目检是在正面高强度光或大面积散射光照射下目测抛光片上的原生缺陷和二次缺陷 。这些缺陷包括边沿碎裂、沾污、裂纹、弧坑、鸦爪、波纹、槽、雾、嵌入磨料颗粒、小丘、桔皮、浅坑、划道、亮点、退刀痕和杂质条纹等 。几何尺寸的检测包括硅片的厚度、总厚度转变、弯曲度清静整度的检测 。厚度为硅片中心上、下外貌两个对应点之间的距离；总厚度转变为统一硅片上厚度最大值与最小值之差；弯曲度为硅片的中线面与参考平面之间距离的最大值与最小值之差；平整度指硅片外貌上最高点与最低点的高度差 ，用总指示读数表征 。硅片的热氧化层错检测是指硅抛光片外貌的机械损伤、杂质沾污和微缺陷等在硅片热氧化历程中均会爆发热氧化层错 ，经择优侵蚀后 ，在金相显微镜下视察热氧化层错的密度 ，以此判断硅片外貌的质量
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